5 dB SOT539A

        BLF578XR

        Neu

            Power LDMOS -Transistor

            A 1400 W extrem robuste LDMOS -Stromtransistor für Rundfunk- und Industrieanwendungen im HF -bis 500 -MHz -Band. Dieses Produkt handelt

          Mehr Infos

        Nicht mehr lieferbar

        Sammeln Sie mit dem Kauf dieses Artikels bis zu 23 Treuepunkte. Ihr Warenkorb hat insgesamt 23 Treuepunkte die umgewandelt werden können in einen Gutschein im Wert von € 4,60.


              € 479,99

              Rabatt auf Ihre Bestellung Rabatt auf Ihre Bestellung
               Kostenloser Versand nach NL
               Mengenrabatt
               Bonussystem
               Sicher zu bezahlen
               Geld-Zurück-Garantie
               QShops-Zertifizierung
              Vertrauenspilot Trustpilot 

      Mengenrabatt - 5 dB SOT539A

        Menge Preis Sie sparen
        2 € 470,39 Bis zu € 19,20
        4 € 460,79 Bis zu € 76,80
        6 € 451,19 Bis zu € 172,80
        8 € 441,59 Bis zu € 307,19
        10 € 431,99 Bis zu € 479,99

      Mehr Infos

        Product discription:


        Power LDMOS transistor

        A 1400 W extremely rugged LDMOS power transistor for broadcast and industrial applications in the HF to 500 MHz band. This product is an enhanced version of the BLF578 using Ampleon"s XR process to provide maximum ruggedness capability in the most severe applications without compromising the RF performance.

        Features and benefits

        • Easy power control
        • Integrated ESD protection
        • Excellent ruggedness
        • High efficiency
        • Excellent thermal stability
        • Designed for broadband operation (HF to 500 MHz)
        • Compliant to Directive 2002/95/EC, regarding Restriction of Hazardous Substances

         

        Technical facts


        SymbolParameterConditionsMinTyp/NomMaxUnit
        frange frequency range   10   500 MHz
        PL(1dB) nominal output power at 1 dB gain compression     1400   W
        Test signal: Pulsed RF
        Gp power gain VDS = 50 V; f = 225 MHz; IDq = 40 mA; PL = 1400 W [0] 22 23.5   dB
        RLin input return loss VDS = 50 V; IDq = 40 mA; PL = 1400 W [0]   -17 -13 dB
        ηD drain efficiency VDS = 50 V; f = 225 MHz; IDq = 40 mA; PL = 1400 W [0] 65 69   %
        PL output power VDS = 50 V; f = 225 MHz [0]   1400   W

         

      17 andere Produkte in der gleichen Kategorie: fm - rf fet, mrf, blof

        Angesehene Artikel

          • 5 dB SOT539A

              5 dB SOT539A

              Power LDMOS -Transistor A 1400 W extrem robuste LDMOS -Stromtransistor für Rundfunk- und Industrieanwendungen im HF -bis 500 -MHz -Band. Dieses Produkt...