MRF300BN RF 300W

Descripción del producto:

Transistores LDMOS de potencia RF MRF300BN MOSFET laterales de modo de mejora
canal N de alta robustez
Estos dispositivos de alta robustez están diseñados para su uso en aplicaciones industriales,
científicas y médicas de alto VSWR y comunicaciones HF y VHF, así como
transmisiones de radio y TV VHF, aplicaciones de radio móviles y aeroespaciales sub-GHz.
Sus El diseño inigualable de entrada y salida permite el uso de un amplio rango de frecuencia
de 1,8 a 250 MHz

Características

• Entrada y salida inigualables que permiten una amplia gama de frecuencias
  utilización
• Dos versiones de conexión de clavijas opuestas (A y B) para usarse en
  una configuración push-pull, dos arriba para rendimiento de banda ancha
• Caracterizado de 30 a 50 V
• Adecuado para aplicaciones lineales
• Protección ESD integrada con mayor rango de voltaje de fuente y puerta negativa
  para una operación mejorada de Clase C
• Aplicaciones típicas
  Industrial, científica y médica (ISM)
  Generación de láser
  Grabado por plasma
  Aceleradores de partículas
  MRI y otras aplicaciones médicas
  Sistemas industriales de calefacción, soldadura y secado
  Transmisión
  Transmisión de radio
  Transmisión de TV VHF
  Radio móvil
  Estaciones base VHF
  HF y Comunicaciones VHF
  Fuentes de alimentación conmutadas