MRF101BN Transistores MOSFET RF Banda ancha 100 W

Descripción del producto:

Transistores LDMOS de potencia RF MRF101BN
MOSFET laterales de modo de mejora
Canal N de alta robustez
Estos dispositivos están diseñados para su uso en comunicaciones VHF/UHF, transmisiones de televisión VHF
y aplicaciones aeroespaciales, así como aplicaciones industriales, científicas y
médicas. Los dispositivos son excepcionalmente robustos y exhiben un alto
rendimiento hasta 250 MHz.

Características

• Versiones de distribución de pines en espejo (A y B) para simplificar el uso en una configuración push-pull,
  dos por arriba
• Caracterizado de 30 a 50 V
• Adecuado para aplicaciones lineales
• Protección ESD integrada con mayor puerta negativa--fuente
• rango de voltaje para una operación mejorada de Clase C
• Incluido en el programa de longevidad del producto NXP con suministro
  asegurado durante un mínimo de 15 años después del lanzamiento
• Aplicaciones típicas
  Industrial, científica y médica (ISM)
  Generación de láser
  Grabado por plasma
  Aceleradores de partículas
  MRI y otras aplicaciones médicas
  Sistemas industriales de calefacción, soldadura y secado
  Transmisión de radio y TV VHF
  Comunicaciones HF y VHF
  Fuentes de alimentación de modo conmutado