Mosfet RF MRFX1K80GNR5 de 1800W
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Marca: DMR-Electronics
Modelo: MRFX1K80GNR5
Soportes: Nuevo
Categorías: FM - RF FET, MRF, BLF
Mosfet RF MRFX1K80GNR5 de 1800 W, transistor LDMOS de potencia RF de banda ancha
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Información del producto
Descripción del producto:
MRFX1K80GNR5, transistores MOSFET de RF Transistor LDMOS de potencia RF de banda ancha, 1800 W CW sobre 1,8-400 MHz, 65 V
Estos dispositivos de alta robustez están diseñados para su uso en aplicaciones de radio móviles, aeroespaciales, industriales, médicas, de radiodifusión,
alta VSWR. Su
diseño inigualable de entrada y salida admite el uso de frecuencias de 1,8 a
400 MHz.
Datos técnicos:
| NXP | |
| Transistores MOSFET RF | |
| RoHS: | Detalles |
| Doble canal N | |
| Si | |
| 43 A | |
| - 500 mV, 179 V | |
| 1,8 MHz a 400 MHz | |
| 24,4 dB | |
| 1,8 kW | |
| - 40 C | |
| + 150 C | |
| SMD/SMT | |
| OM-1230G-4L | |
| Cortar cinta | |
| Carrete | |
| Apesta: | MRFX1K80 |
| Tipo: | MOSFET de potencia RF |
| Merca: | Semiconductores NXP |
| Voorwaartse transconductantie - min: | 44,7 S |
| Canales adicionales: | 2 canales |
| Vochtgevoelig: | Sí |
| Pd - Vermogensverlies: | 3333 W |
| Tipo de producto: | Transistores MOSFET RF |
| Subcategoría: | MOSFET |
| Vgs - Poort-bronspanning: | - 6 V, 10 V |
| Vgs th - Drempelspanning van ingangsbron: | 2,1 V |
| Onderdeelnr. Alias: | 935362677578 |
| Equipo por pieza: | 5,281 g |