MRF300BN RF 300 W

Descrizione del prodotto:

Transistor LDMOS di potenza RF MRF300BN MOSFET laterali ad alta robustezza a canale N
potenziati in modalità laterale
Questi dispositivi ad alta robustezza sono progettati per l'uso in applicazioni industriali,
scientifiche e mediche con VSWR elevato e comunicazioni HF e VHF nonché per
trasmissioni radiofoniche e televisive VHF, applicazioni aerospaziali e radiomobili sub-GHz.
I loro ineguagliabili il design di ingressi e uscite consente l'utilizzo di un'ampia gamma di frequenze
da 1,8 a 250 MHz

Funzionalità

• Ingresso e uscita senza eguali che consentono un utilizzo
  di un'ampia gamma di frequenze
• Due versioni di connessione pin opposte (A e B) da utilizzare in
  una configurazione push-pull, two-up per prestazioni a banda larga
• Caratterizzati da 30 a 50 V
• Adatto per applicazioni lineari
• Protezione ESD integrata con un maggiore intervallo di tensione
  negativo gate-sorgente per un migliore funzionamento in Classe C
• Applicazioni tipiche
  Industriale, scientifico, medico (ISM)
  Generazione di laser
  Incisione al plasma
  Acceleratori di particelle
  MRI e altre applicazioni mediche
  Sistemi di riscaldamento, saldatura ed asciugatura industriali
  Trasmissione
  Trasmissione radio
  Trasmissione TV VHF
  Radio mobile
  Stazioni base VHF
  Comunicazioni HF e VHF
  Alimentatori a commutazione