MRFX1K80GNR5 1800W RF mosfet
Poglej večje
Blagovna znamka: DMR-Electronics
Model: MRFX1K80GNR5
Stanje: Novica
Kategorija: FM - RF FET, MRF, BLF
MRFX1K80GNR5 1800W RF mosfet, širokopasovni RF moč LDMOS tranzistor
5 other products in the same category: FM - RF FET, MRF, BLF
Ogledani izdelki
Informacije o izdelku
Opis izdelka:
MRFX1K80GNR5, RF MOSFET tranzistorji Širokopasovni RF moč LDMOS tranzistor, 1800 W CW od 1.8-400 MHz, 65 V
Ti visoko robustni naprave so zasnovane za uporabo v visokem VSWR
industrijskem, medicinskem, radijskem, vesoljskem in mobilnem radijskem okolju. Njihova
neprimerljiva zasnova vhodov in izhodov podpira frekvenčno uporabo od 1.8 do
400 MHz.
Tehnična dejstva:
| NXP | |
| RF MOSFET tranzistorji | |
| RoHS: | Podrobnosti |
| Dual N-Channel | |
| Si | |
| 43 A | |
| - 500 mV, 179 V | |
| 1.8 MHz do 400 MHz | |
| 24.4 dB | |
| 1.8 kW | |
| - 40 C | |
| + 150 C | |
| SMD/SMT | |
| OM-1230G-4L | |
| Cut Tape | |
| Reel | |
| Serija: | MRFX1K80 |
| Tip: | RF Power MOSFET |
| Blagovna znamka: | NXP Semiconductors |
| Napredna transkonduktanca - min: | 44.7 S |
| Število kanalov: | 2 Channel |
| Občutljivost na vlago: | Da |
| Pd - Moč izgube: | 3333 W |
| Tip izdelka: | RF MOSFET tranzistorji |
| Podkategorija: | MOSFETs |
| Vgs - Napetost vrata: | - 6 V, 10 V |
| Vgs th - Napetost praga: | 2.1 V |
| Številka dela: | 935362677578 |
| Teža na kos: | 5,281 g |