MRF101BN Transistors MOSFET RF Large bande 100 W
Agrandir l'image
Marque: DMR-Electronics
Modèle: 771-MRF101BN
Stands: Nouveau
Catégories: FM - RF FET, MRF, BLF
Transistors RF MOSFET MRF101BN Transistor LDMOS de puissance RF à large bande, 100 W CW sur 1,8-250 MHz, 50 V
5 autres produits de la catégorie - FM - RF FET, MRF, BLF
Produits consultés
Informations sur le produit
Description du produit :
Transistors LDMOS de puissance RF MRF101BN
Canal N à haute robustesse
Amélioration --Mode MOSFET latéraux
Ces dispositifs sont conçus pour être utilisés dans les communications VHF/UHF, la télévision VHF
la radiodiffusion et les applications aérospatiales ainsi que les applications industrielles, scientifiques et
médicales. Les appareils sont exceptionnellement robustes et présentent des
performances élevées jusqu'à 250 MHz.
Fonctionnalités
- Versions de brochage miroir (A et B) pour simplifier l'utilisation dans une configuration push--pull,
configuration à deux - Caractérisé de 30 à 50 V
- Convient aux applications linéaires
- Protection ESD intégrée avec une plus grande source de grille négative
- plage de tension pour un fonctionnement amélioré en classe C
- Inclus dans le programme de longévité des produits NXP avec
approvisionnement assuré pendant au moins 15 ans après le lancement - Applications typiques
Industrielle, scientifique, médicale (ISM)
Génération laser
Gravure au plasma
Accélérateurs de particules
IRM et autres applications médicales
Systèmes industriels de chauffage, de soudage et de séchage
Diffusion radio et TV VHF
Communications HF et VHF
Alimentations à découpage