MRFX1K80GNR5 MOSFET RF 1 800 W
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Marque: DMR-Electronics
Modèle: MRFX1K80GNR5
Stands: Nouveau
Catégories: FM - RF FET, MRF, BLF
MRFX1K80GNR5 1 800 W RF mosfet, transistor LDMOS de puissance RF à large bande
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Informations sur le produit
Description du produit :
MRFX1K80GNR5, transistors RF MOSFET Transistor LDMOS de puissance RF à large bande, 1 800 W CW sur 1,8-400 MHz, 65 V
Ces appareils à haute robustesse sont conçus pour être utilisés dans des applications radio industrielles, médicales, de radiodiffusion, aérospatiales et mobiles à VSWR élevé. Leur
conception d'entrée et de sortie inégalée prend en charge l'utilisation de fréquences de 1,8 à
400 MHz.
Faits techniques :
| NXP | |
| Transistors RF MOSFET | |
| RoHS : | Détails |
| Double canal N | |
| Si | |
| 43 A | |
| - 500 mV, 179 V | |
| 1,8 MHz à 400 MHz | |
| 24,4 dB | |
| 1,8 kW | |
| - 40 C | |
| + 150 C | |
| SMD/SMT | |
| OM-1230G-4L | |
| Couper le ruban | |
| Bobine | |
| Reeks : | MRFX1K80 |
| Type : | MOSFET de puissance RF |
| Merk : | Semi-conducteurs NXP |
| Voorwaartse transconductance - min : | 44,7 S |
| Aantal kanalen : | 2 canaux |
| Vochtgevoelig : | Oui |
| Pd - Vermogensverlies : | 3333 W |
| Type de produit : | Transistors MOSFET RF |
| Sous-catégorie : | MOSFET |
| Vgs - Poort-bronspanning : | - 6 V, 10 V |
| Vgs th - Drempelspanning van ingangsbron : | 2,1 V |
| Onderdeelnr. Aliassène : | 935362677578 |
| Gewicht per stuk : | 5 281 g |