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Marca: DMR-Electronics
Modello: MRFX1K80GNR5
Stand: Nuovo
Categorie: FM - RF FET, MRF, BLF
MRFX1K80GNR5 Mosfet RF da 1800 W, transistor LDMOS di potenza RF a banda larga
Descrizione del prodotto:
MRFX1K80GNR5, transistor MOSFET RF Transistor LDMOS di potenza RF a banda larga, 1800 W CW su 1,8-400 MHz, 65 V
Questi dispositivi ad elevata robustezza sono progettati per l'uso in applicazioni
industriali, mediche, radiotelevisive, aerospaziali e radiomobili ad alto VSWR. Il loro
design impareggiabile di input e output supporta l'uso di frequenze da 1,8 a
400 MHz.
Dati tecnici:
| NXP | |
| Transistor RF MOSFET | |
| RoHS: | Dettagli |
| Doppio canale N | |
| E | |
| 43A | |
| -500mV, 179V | |
| Da 1,8 MHz a 400 MHz | |
| 24,4 dB | |
| 1,8 kW | |
| -40 C | |
| 150C | |
| SMD/SMT | |
| OM-1230G-4L | |
| Tagliare il nastro | |
| Bobina | |
| Puzza: | MRFX1K80 |
| Tipo: | MOSFET di potenza RF |
| Marca: | Semiconduttori NXP |
| Transconduttanza diretta - min: | 44,7 S |
| Numero di canali: | 2 canali |
| Sensibile all'umidità: | SÌ |
| Pd - Perdita di potenza: | 3333 W |
| Tipo di prodotto: | Transistor MOSFET RF |
| Sottocategoria: | MOSFET |
| Vgs - Tensione Bronzo Scarsa: | - 6 V, 10 V |
| Vgs th - Tensione di soglia della sorgente di ingresso: | 2,1 V |
| Parte n. Alias: | 935362677578 |
| Peso per pezzo: | 5.281 g |
