MRF300BN RF 300W

Descrição do produto:

Transistores LDMOS de potência de RF MRF300BN Mosfets laterais de canal N de alta robustez
modo de aprimoramento
Esses dispositivos de alta robustez são projetados para uso em aplicações industriais,
científicas e médicas de alto VSWR e comunicações HF e VHF, bem como
transmissão de rádio e TV VHF, aplicações aeroespaciais sub-GHz e rádio móvel.
/>Seu design incomparável de entrada e saída permite o uso em uma ampla faixa de frequência
de 1,8 a 250 MHz

Recursos

• Entrada e saída incomparáveis, permitindo ampla faixa de frequência
  utilização
• Duas versões de conexão de pinos opostos (A e B) para serem usadas em
  uma configuração push-pull e two-up para desempenho de banda larga
• Caracterizado de 30 a 50 V
• Adequado para aplicação linear
• Proteção ESD integrada com maior faixa de tensão negativa de porta-fonte
  para melhor operação Classe C
• Aplicações típicas
  Industrial, científica, médica (ISM)
  Geração de laser
  Gravação de plasma
  Aceleradores de partículas
  Ressonância magnética e outras aplicações médicas
  Sistemas industriais de aquecimento, soldagem e secagem
  Transmissão
  Transmissão de rádio
  Transmissão de TV VHF
  Rádio móvel
  Estações base VHF
  Comunicações HF e VHF
  Fontes de alimentação comutadas