MOSFET MRFX1K80GNR5 1800W RF
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Marca: DMR-Electronics
Modelo: MRFX1K80GNR5
Estandes: Novo
Categorias: FM - RF FET, MRF, BLF
MRFX1K80GNR5 mosfet RF de 1800 W, transistor LDMOS de potência RF de banda larga
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Informações do produto
Descrição do produto:
MRFX1K80GNR5, transistores RF MOSFET Transistor LDMOS de potência RF de banda larga, 1800 W CW acima de 1,8-400 MHz, 65 V
Esses dispositivos de alta robustez são projetados para uso em aplicações de alto VSWR
industriais, médicas, de transmissão, aeroespaciais e de rádio móvel. Seu
design incomparável de entrada e saída suporta o uso de frequências de 1,8 a
400 MHz.
Fatos técnicos:
| NXP | |
| Transistores RF MOSFET | |
| RoHS: | Detalhes |
| Canal N duplo | |
| E | |
| 43A | |
| - 500mV, 179V | |
| 1,8 MHz a 400 MHz | |
| 24,4dB | |
| 1,8 kW | |
| - 40ºC | |
| + 150ºC | |
| SMD/SMT | |
| OM-1230G-4L | |
| Fita cortada | |
| Carretel | |
| Fedor: | MRFX1K80 |
| Tipo: | MOSFET de potência RF |
| Marca: | Semicondutores NXP |
| Transcondutância direta - min: | 44,7S |
| Número de canais: | 2 canais |
| Sensível à umidade: | Sim |
| Pd - Perda de potência: | 3333W |
| Tipo de produto: | Transistores RF MOSFET |
| Subcategoria: | MOSFETs |
| Vgs - Tensão de Bronze Fraca: | - 6 V, 10 V |
| Vgs th - Tensão limite da fonte de entrada: | 2,1 V |
| Parte nº. Aliases: | 935362677578 |
| Peso por peça: | 5.281g |