MRF300BN RF 300 W

MRF300BN RF 300 W Vergrößern

€ 114,99

Mengenrabatt

Menge Rabatt Sie sparen
2 2% Bis zu € 4,60
4 4% Bis zu € 18,40
6 6% Bis zu € 41,40
8 8% Bis zu € 73,59
10 10% Bis zu € 114,99

lange Lieferzeiten

Brand: DMR-Electronics

Model: 771-MRF300BN

Condition: Neu

Kategorie: FM – RF FET, MRF, BLF

MRF300BN RF MOSFET-Transistoren RF Power LDMOS Transistor, 300 W CW über 1,8–250 MHz, 50 V

5 andere Produkte in der gleichen Kategorie - FM – RF FET, MRF, BLF

Mehr Infos

Produktbeschreibung:

MRF300BN HF-Leistungs-LDMOS-Transistoren – Hochrobuste N-Kanal-
Anreicherungsmode-Lateral-MOSFETs
Diese hochrobusten Geräte sind für den Einsatz in industriellen,
wissenschaftlichen und medizinischen Anwendungen mit hohem VSWR sowie für HF- und VHF-Kommunikation sowie
Radio- und VHF-Fernsehübertragungen, Sub-GHz-Luft- und Raumfahrt- und Mobilfunkanwendungen konzipiert.
Ihre unübertroffenen Eingangs- und Das Ausgangsdesign ermöglicht die Nutzung eines breiten Frequenzbereichs
von 1,8 bis 250 MHz

Funktionen

  • Unübertroffener Ein- und Ausgang ermöglicht die Nutzung eines breiten Frequenzbereichs
  • Zwei Versionen mit entgegengesetzten Stiftanschlüssen (A und B) zur Verwendung in einer Push-Pull-Konfiguration mit zwei Anschlüssen für Breitbandleistung
  • Gekennzeichnet von 30 bis 50 V
  • Geeignet für lineare Anwendung
  • Integrierter ESD-Schutz mit größerem negativen Gate-Source-Spannungsbereich für verbesserten Klasse-C-Betrieb
  • Typische Anwendungen
    Industriell, wissenschaftlich, medizinisch (ISM)
    Lasererzeugung
    Plasmaätzen
    Partikelbeschleuniger
    MRT und andere medizinische Anwendungen
    Industrielle Heiz-, Schweiß- und Trocknungssysteme
    Ausstrahlung
    Radioübertragung
    UKW-Fernsehübertragung
    Mobilfunk
    UKW-Basisstationen
    HF und UKW-Kommunikation
    Schaltnetzteile