Breitband -HF -Leistungs -LDMOS -Transistor
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Brand: DMR-Electronics
Model: MRFX1K80GNR5
Condition: Neu
Kategorie: FM – RF FET, MRF, BLF
MRFX1K80GNR5 1800 W HF-Mosfet, Breitband-HF-Leistungs-LDMOS-Transistor
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Produktbeschreibung:
HF-MOSFET-Transistoren Breitband-HF-Leistungs-LDMOS-Transistor, 1800 W CW über 1,8–400 MHz, 65 V
Diese äußerst robusten Geräte sind für den Einsatz in Industrie-, Medizin-, Rundfunk-, Luft- und Raumfahrt- und Mobilfunkanwendungen mit hohem VSWR konzipiert. Ihr
unübertroffenes Ein- und Ausgangsdesign unterstützt den Frequenzbereich von 1,8 bis
400 MHz.
Technische Fakten:
| NXP | |
| RF MOSFET-Transistoren | |
| RoHS: | Details |
| Dual N-Kanal | |
| Si | |
| 43 A | |
| - 500 mV, 179 V | |
| 1,8 MHz bis 400 MHz | |
| 24,4 dB | |
| 1,8 kW | |
| - 40 C | |
| + 150 C | |
| SMD/SMT | |
| OM-1230G-4L | |
| Band abschneiden | |
| Reel | |
| Reeks: | MRFX1K80 |
| Typ: | HF-Leistungs-MOSFET |
| Merk: | NXP Semiconductors |
| Übertragungsgeschwindigkeit - min: | 44,7 S |
| Antal-Kanäle: | 2 Kanal |
| Vochtgevoelig: | Ja |
| Pd – Vermogensverlies: | 3333 W |
| Produkttyp: | HF-MOSFET-Transistoren |
| Unterkategorie: | MOSFETs |
| Vgs - Poort-bronspanning: | - 6 V, 10 V |
| Vgs th - Drempelspanning van ingangsbron: | 2,1 V |
| Unterdeelnr. Alias: | 935362677578 |
| Gewicht pro Stück: | 5.281 g |