Breitband -HF -Leistungs -LDMOS -Transistor

Breitband -HF -Leistungs -LDMOS -Transistor (FM - RF FET Vergrößern

: DMR-Electronics

: MRFX1K80GNR5

: Neu

: fm - rf fet, mrf, blof

: Breitband -HF -Leistungs -LDMOS -Transistor

MRFX1K80GNR5 1800W RF MOSFET, Breitband -HF -Leistung LDMOS -Transistor

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Product discription:

RF MOSFET-transistors Wideband RF Power LDMOS Transistor, 1800 W CW over 1.8-400 MHz, 65 V

These high ruggedness devices are designed for use in high VSWR
industrial, medical, broadcast, aerospace and mobile radio applications. Their
unmatched input and output design supports frequency use from 1.8 to
400 MHz.

Technical facts:

NXP
RF MOSFET-transistors
RoHS:  Details
Dual N-Channel
Si
43 A
- 500 mV, 179 V
1.8 MHz to 400 MHz
24.4 dB
1.8 kW
- 40 C
+ 150 C
SMD/SMT
OM-1230G-4L
Cut Tape
Reel
Reeks: MRFX1K80
Type: RF Power MOSFET
Merk: NXP Semiconductors
Voorwaartse transconductantie - min: 44.7 S
Aantal kanalen: 2 Channel
Vochtgevoelig: Yes
Pd - Vermogensverlies: 3333 W
Producttype: RF MOSFET Transistors
Subcategorie: MOSFETs
Vgs - Poort-bronspanning: - 6 V, 10 V
Vgs th - Drempelspanning van ingangsbron: 2.1 V
Onderdeelnr. Aliassen: 935362677578
Gewicht per stuk: 5,281 g