Modell G250N50W4
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Brand: DMR-Electronics
Model: 620-G250N50W4
Condition: Neu
Kategorie: HF-Leistungswiderstände
Hochfrequenter HF-Widerstand, Modell G250N50W4, 250 W DC-2,2 GHz 250 Watt -55 °C bis +150 °C
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Produktbeschreibung:
Der G250N50W4 ist ein hochleistungsfähiger Aluminiumnitrid (AlN)-Flanschanschluss
der als kostengünstige Alternative zu Berylliumoxid
(BeO) gedacht ist. Der Abschluss eignet sich gut für alle Mobilfunkfrequenzbänder wie:
AMPS, GSM, DCS, PCS, PHS und UMTS. Die hohe Belastbarkeit macht
das Teil ideal für Abschlusszirkulatoren und für den Einsatz in Leistungskombinatoren. Auch der
Anschluss ist RoHS-konform!
Technische Fakten:
| Hochfrequenz-/RF-Widerstände | |
| 50 Ohm | |
| 250 W | |
| 2 % | |
| 2,2 GHz | |
| - 55 C | |
| + 150 C | |
| 0,975 Zoll | |
| 0,375 Zoll | |
| 0,23 Zoll | |
| Tray | |
| Toepassing: | Hochfrequenz |
| Funktionen: | - |
| Bedrijfstemperatuurbereik: | - 55 °C bis + 150 °C |
| Klemtype: | SMD/SMT |
| Merk: | Anaren |
| Produkttyp: | Hochfrequenz-/HF-Widerstände |
| Unterkategorie: | Widerstände |
| Gewicht pro Stück: | 12.079 g |