Winkelwagen 0 Product Producten (leeg)

Geen producten

Gratis verzending!

Verzending

€ 0,00

BTW

€ 0,00

Totaal

Prijzen zijn incl. btw

Afrekenen

Aantal

Totaal

Er zijn 0 artikelen in uw winkelwagen.

Er is 1 artikel in uw winkelwagen.

Totaal producten (incl. btw)

Totaal verzendkosten (incl. btw)

Gratis verzending!

BTW

€ 0,00

Totaal (incl. btw)

Ga door met winkelen

Doorgaan naar betalen

BLF578XR Power 1400 W extreem robuuste LDMOS power transistor

BLF578XR Power 1400W LDMOS transistorAmpleon

Bekijk groter

Model BLF578XR

Staat Nieuw

BLF578XR, Power LDMOS transistor

1400 W extreem robuuste LDMOS power transistor voor broadcast en industriële toepassingen in de HF-500 MHz-band. BLF578XR is een verbeterde versie van de BLF578 gebruikt Ampleon 's XR proces om maximale robuustheid en vermogen in de zwaarste toepassingen te bieden zonder afbreuk te doen aan de RF-prestaties.

Meer details

Bij het kopen van dit product krijgt u in totaal 16 Loyaliteit punten. Uw winkelwagen bevat een totaal aan 16 Loyaliteit punten die omgezet kunnen worden in een waardebon van € 3,20.

Print hier uw Productpagina

€ 330,57

Aantal

	Gratis verzenden
	Volume korting
	Bonus systeem
	Veilig betalen
	Niet goed geld terug
	QShops certificaat

Volumekorting - BLF578XR Power 1400 W extreem robuuste LDMOS power transistor

Aantal	Korting	U bespaart
2	2%	Tot € 13,22
3	3%	Tot € 29,75
4	4%	Tot € 52,89
5	10%	Tot € 165,29
10	15%	Tot € 495,86

Productinformatie

Product discription:

BLF578XR, Power LDMOS transistor

A 1400 W extremely rugged LDMOS power transistor for broadcast and industrial applications in the HF to 500 MHz band. This product is an enhanced version of the BLF578 using Ampleon"s XR process to provide maximum ruggedness capability in the most severe applications without compromising the RF performance.

Features and benefits

Easy power control
Integrated ESD protection
Excellent ruggedness
High efficiency
Excellent thermal stability
Designed for broadband operation (HF to 500 MHz)
Compliant to Directive 2002/95/EC, regarding Restriction of Hazardous Substances

Technical facts

Symbol	Parameter	Conditions	Min	Typ/Nom	Max	Unit
f_range	frequency range		10		500	MHz
P_L(1dB)	nominal output power at 1 dB gain compression			1400		W
Test signal: Pulsed RF
G_p	power gain	V_DS = 50 V; f = 225 MHz; I_Dq = 40 mA; P_L = 1400 W ^[0]	22	23.5		dB
RL_in	input return loss	V_DS = 50 V; I_Dq = 40 mA; P_L = 1400 W ^[0]		-17	-13	dB
η_D	drain efficiency	V_DS = 50 V; f = 225 MHz; I_Dq = 40 mA; P_L = 1400 W ^[0]	65	69		%
P_L	output power	V_DS = 50 V; f = 225 MHz ^[0]		1400		W