Voordat u verder gaat

Indien u akkoord bent met de onze privacy en AVG regels, kunt u verder winkelen, door op de close button te klikken.
close
> FM-Zenders> FM Zender Randapparatuur> FM Componenten> FM - RF FET, MRF, BLF>BLF578XR Power 1400 W extreem robuuste LDMOS power transistor

BLF578XR Power 1400 W extreem robuuste LDMOS power transistor

BLF578XR

Nieuw

Power LDMOS transistor

1400 W extreem robuuste LDMOS power transistor voor broadcast en industriële toepassingen in de HF-500 MHz-band. BLF578XR is een verbeterde versie van de BLF578 gebruikt Ampleon 's XR proces om maximale robuustheid en vermogen in de zwaarste toepassingen te bieden zonder afbreuk te doen aan de RF-prestaties.

Meer details

8 stuks in voorraad

✓ Scherpe prijs ✓ Veilig betalen
✓ Gratis verzenden ✓ Niet goed geld terug
✓ Volume korting ✓ Korting sparen
✓ Groot assortiment ✓ QShops Keurmerk

Bij het kopen - bestellen van dit product krijgt u in totaal 20 Loyaliteit punten. Uw winkelwagen bevat een totaal aan 20 Loyaliteit punten die omgezet kunnen worden in een waardebon van EUR 4,00.


EUR 411,99

Toevoegen aan Verlanglijst

Volumekorting

Aantal Prijs U bespaart
5 EUR 395,51 Tot EUR 82,40
10 EUR 374,91 Tot EUR 370,79

Meer informatie

Product discription:

Power LDMOS transistor

A 1400 W extremely rugged LDMOS power transistor for broadcast and industrial applications in the HF to 500 MHz band. This product is an enhanced version of the BLF578 using Ampleon"s XR process to provide maximum ruggedness capability in the most severe applications without compromising the RF performance.

Features and benefits

  • Easy power control
  • Integrated ESD protection
  • Excellent ruggedness
  • High efficiency
  • Excellent thermal stability
  • Designed for broadband operation (HF to 500 MHz)
  • Compliant to Directive 2002/95/EC, regarding Restriction of Hazardous Substances

 

Technical facts

SymbolParameterConditionsMinTyp/NomMaxUnit
frange frequency range   10   500 MHz
PL(1dB) nominal output power at 1 dB gain compression     1400   W
Test signal: Pulsed RF
Gp power gain VDS = 50 V; f = 225 MHz; IDq = 40 mA; PL = 1400 W [0] 22 23.5   dB
RLin input return loss VDS = 50 V; IDq = 40 mA; PL = 1400 W [0]   -17 -13 dB
ηD drain efficiency VDS = 50 V; f = 225 MHz; IDq = 40 mA; PL = 1400 W [0] 65 69   %
PL output power VDS = 50 V; f = 225 MHz [0]   1400   W

 

Recensies

Schrijf uw recensie

BLF578XR Power 1400 W extreem robuuste LDMOS power transistor

BLF578XR Power 1400 W extreem robuuste LDMOS power transistor

Power LDMOS transistor

1400 W extreem robuuste LDMOS power transistor voor broadcast en industriële toepassingen in de HF-500 MHz-band. BLF578XR is een verbeterde versie van de BLF578 gebruikt Ampleon 's XR proces om maximale robuustheid en vermogen in de zwaarste toepassingen te bieden zonder afbreuk te doen aan de RF-prestaties.

Schrijf uw recensie

19 Andere producten in dezelfde categorie: