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Bessere Effizienz, mehr Gewinn und mehr Leistung als die BLF278 und MRF151M. Dies ist derzeit das heißeste HF -MOSFET!
125W HF Macom Transistor, sehr hohe Verstärkung, 48 -V -Versorgungsspannung
(350W RF 48 V) Transistor, sehr hohe Verstärkung, 48 -V -Versorgungsspannung
Die VRF151G ist für Breitband -kommerzielle und militärische Anwendungen bei Frequenzen bis 175 MHz ausgelegt. Die Leistung mit hoher Leistung, hoher Verstärkung und Breitbandleistung dieses Geräts ermöglichen mögliche Feststaatssender für FM -Frequenzbänder oder TV -Kanal -Frequenzbänder
Stromverstärker -Abschnitt 300W FM, der hauptsächlich für die FM -Anwendung mit einem zuverlässigen LDMOS -Gerät entwickelt wurde. Dieser Verstärker ist für jede CW- oder gepulste Anwendung geeignet. 87,5 - 108 MHz schmollend: 300 w Gewinn: 20db 50 Ohm In/Out Impedance Klasse C Geräte: MRF6V2300NR1 Versorgung: 48 VDC Nominal Abmessungen:...
Stromverstärker Abschnitt 600W FM, der hauptsächlich für die FM -Anwendung entwickelt wurde, ist dieser Verstärker für jede CW- oder gepulste Anwendung geeignet. 87,5 - 108 MHz schmollend: 600 w Gewinn: 23 dB Extreme Robustheit (VSWR 65: 1) Klasse C Gerät: MRFE6VP5600H Versorgung: 30-48 VDC - 43VDC Nominal Abmessungen (LXWXH): 140x68x21 mm 5,55...
Leistungsverstärker Abschnitt 1000W FM BLF188XR hauptsächlich für die FM -Anwendung entwickelt, ist dieser Verstärker für jede CW- oder gepulste Anwendung geeignet. 87,5 - 108 MHz schmollend: 1000 w Gewinn: 23 dB Extreme Robustheit (VSWR 65: 1) Klasse B Gerät: Ampleon BLF188XR Versorgung: 30-50 VDC - 50VDC Nominal Abmessungen (LXWXH): 135x60x30 mm
NXP Semiconductors MRFX1K80 RF Power LDMOS Transistor 1800W nxp MRFX1K80 RF -Leistung LDMOS -Transistor kombiniert hohe HF -Ausgangsleistung, überlegene Robustheit und thermische Leistung. Der MRFX1K80 -Transistor ist so konzipiert, dass er 1800 W bei 65 V CW (kontinuierliche Welle) für Anwendungen von 1 MHz bis 470 MHz liefert und das...
MRF300BN RF MOSFET-Transistoren RF Power LDMOS Transistor, 300 W CW über 1,8-250 MHz, 50 V
MRF101BN RF MOSFET-Transistoren Breitband RF Power LDMOS Transistor, 100 W CW über 1,8-250 MHz, 50 V
MRFX1K80GNR5 1800W RF MOSFET, Breitband -HF -Leistung LDMOS -Transistor