Breitband -HF -Leistungs -LDMOS -Transistor

    MRFX1K80GNR5

          Neu

              MRFX1K80GNR5 1800W RF MOSFET, Breitband -HF -Leistung LDMOS -Transistor

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          Product discription:

          RF MOSFET-transistors Wideband RF Power LDMOS Transistor, 1800 W CW over 1.8-400 MHz, 65 V

          These high ruggedness devices are designed for use in high VSWR
          industrial, medical, broadcast, aerospace and mobile radio applications. Their
          unmatched input and output design supports frequency use from 1.8 to
          400 MHz.

          Technical facts:

          NXP
          RF MOSFET-transistors
          RoHS:  Details
          Dual N-Channel
          Si
          43 A
          - 500 mV, 179 V
          1.8 MHz to 400 MHz
          24.4 dB
          1.8 kW
          - 40 C
          + 150 C
          SMD/SMT
          OM-1230G-4L
          Cut Tape
          Reel
          Reeks: MRFX1K80
          Type: RF Power MOSFET
          Merk: NXP Semiconductors
          Voorwaartse transconductantie - min: 44.7 S
          Aantal kanalen: 2 Channel
          Vochtgevoelig: Yes
          Pd - Vermogensverlies: 3333 W
          Producttype: RF MOSFET Transistors
          Subcategorie: MOSFETs
          Vgs - Poort-bronspanning: - 6 V, 10 V
          Vgs th - Drempelspanning van ingangsbron: 2.1 V
          Onderdeelnr. Aliassen: 935362677578
          Gewicht per stuk: 5,281 g

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