Breitband -HF -Leistungs -LDMOS -Transistor

MRFX1K80GNR5

Neu

    MRFX1K80GNR5 1800W RF mosfet

    Einführung

    MRFX1K80GNR5 1800W RF MOSFET, Breitband -HF -Leistung LDMOS -Transistor

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    Mehr Infos Breitband -HF -Leistungs -LDMOS -Transistor

    Product discription:

    RF MOSFET-transistors Wideband RF Power LDMOS Transistor, 1800 W CW over 1.8-400 MHz, 65 V

    These high ruggedness devices are designed for use in high VSWR
    industrial, medical, broadcast, aerospace and mobile radio applications. Their
    unmatched input and output design supports frequency use from 1.8 to
    400 MHz.

    Technical facts:

    NXP
    RF MOSFET-transistors
    RoHS:  Details
    Dual N-Channel
    Si
    43 A
    - 500 mV, 179 V
    1.8 MHz to 400 MHz
    24.4 dB
    1.8 kW
    - 40 C
    + 150 C
    SMD/SMT
    OM-1230G-4L
    Cut Tape
    Reel
    Reeks: MRFX1K80
    Type: RF Power MOSFET
    Merk: NXP Semiconductors
    Voorwaartse transconductantie - min: 44.7 S
    Aantal kanalen: 2 Channel
    Vochtgevoelig: Yes
    Pd - Vermogensverlies: 3333 W
    Producttype: RF MOSFET Transistors
    Subcategorie: MOSFETs
    Vgs - Poort-bronspanning: - 6 V, 10 V
    Vgs th - Drempelspanning van ingangsbron: 2.1 V
    Onderdeelnr. Aliassen: 935362677578
    Gewicht per stuk: 5,281 g