MRFX1K80GNR5 1800W RF mosfet
Bekijk groter
Bekijk groter
Bekijk groter
Bekijk groter
29 years of Innovation in Studio & Broadcast Solutions
0
Product
Producten
(leeg)
Geen producten
Gratis verzending!
Verzending
€ 0,00
BTW
€ 0,00
Totaal
Prijzen zijn incl. btw
Het product is succesvol aan uw winkelwagen toegevoegd
Aantal
Totaal
Er zijn 0 artikelen in uw winkelwagen.
Er is 1 artikel in uw winkelwagen.
Totaal producten
(incl. btw)
Totaal verzendkosten (incl. btw)
Gratis verzending!
BTW
€ 0,00
Totaal
(incl. btw)
Bekijk groter
Merk: DMR-Electronics
Model: MRFX1K80GNR5
Staat: Nieuw
Categorie: FM - RF FET, MRF, BLF
MRFX1K80GNR5 1800W RF mosfet, Wideband RF Power LDMOS Transistor
5 andere producten in categorie - FM - RF FET, MRF, BLF
Bekeken producten
Productinformatie
Product discription:
MRFX1K80GNR5, RF MOSFET-transistors Wideband RF Power LDMOS Transistor, 1800 W CW over 1.8-400 MHz, 65 V
These high ruggedness devices are designed for use in high VSWR
industrial, medical, broadcast, aerospace and mobile radio applications. Their
unmatched input and output design supports frequency use from 1.8 to
400 MHz.
Technical facts:
| NXP | |
| RF MOSFET-transistors | |
| RoHS: | Details |
| Dual N-Channel | |
| Si | |
| 43 A | |
| - 500 mV, 179 V | |
| 1.8 MHz to 400 MHz | |
| 24.4 dB | |
| 1.8 kW | |
| - 40 C | |
| + 150 C | |
| SMD/SMT | |
| OM-1230G-4L | |
| Cut Tape | |
| Reel | |
| Reeks: | MRFX1K80 |
| Type: | RF Power MOSFET |
| Merk: | NXP Semiconductors |
| Voorwaartse transconductantie - min: | 44.7 S |
| Aantal kanalen: | 2 Channel |
| Vochtgevoelig: | Yes |
| Pd - Vermogensverlies: | 3333 W |
| Producttype: | RF MOSFET Transistors |
| Subcategorie: | MOSFETs |
| Vgs - Poort-bronspanning: | - 6 V, 10 V |
| Vgs th - Drempelspanning van ingangsbron: | 2.1 V |
| Onderdeelnr. Aliassen: | 935362677578 |
| Gewicht per stuk: | 5,281 g |